檢索結果：共18筆資料 檢索策略： "Kuei-Yi Lee".ecommittee (精準) and year="105"
個人化服務 ：
排序：
每頁筆數：
已勾選0筆資料
1
摘要 本實驗使用反應式離子束濺鍍法來沉積氧化銦錫薄膜於玻璃基板上，在室溫狀態下，分別透過改變氧氣流量、陽極電壓以及基板與靶材距離，來觀察不同製程參數下薄膜特性的變化。隨著氧氣流量增加，氧氣的低濺…
2
本研究成功利用陽極層離子源之反應式離子束濺鍍沉積氧化鈷與氧化鈷銅薄膜，薄膜分別於製程溫度150℃與300℃下以不同氧氣流量比沉積於矽基板與石英基板上，實驗結果顯示，於150℃下沉積之薄膜皆屬非晶薄膜…
3
本實驗設計並製造一種利用陽極層離子源的離子束濺鍍模組。此模組將一倒置的環形陽極層離子源與濺鍍靶材做結合，以減少所需的真空腔體。利用此離子束濺鍍模組將氧化銀沉積在石英基板上。研究結果顯示，銀僅在氧氣分…
4
本論文使用兩種不同的二維材料之過渡金屬硫屬化合物MoS2與WSe2做異質接面的結合並進行探討其接面特性. 本論文以熱化學氣相沉積法方式, 利用固定比例的三氧化鎢與硒粉末, 三氧化鉬與硫粉末成長WSe…
5
石墨烯為原子級二維薄膜，擁有高比表面積及高載子遷移率等特性，可望超越現今的矽等半導體材料。然而由於吸附空氣中的氧原子及水氣造成原生的p型摻雜，因此改變石墨烯的電子結構一直是重要課題。其中氮摻雜可使石…
6
本論文主要探討以化學氣相傳導法(CVT)所成長的六方晶系(2H) 二硒化鎢(WSe2)層狀半導體之奈米結構電傳輸特性。使用熱探針與的場效應電晶體(FET)量測法，確認此二硒化鎢單晶為P型半導體。並利…
7
中文摘要 本論文運用化學氣相傳導法成長硫化鍺 (GeS) 晶體,成長溫度為 600°C 且溫度梯度為-2.5°C /cm,維持 14 天後於低溫沉積端慢慢堆疊成長出晶體,最後成功長出 GeS 層狀半…
8
本論文利用熱化學氣相沉積系統在藍寶石基板上成長單層二硒化鎢，由光學顯微鏡及掃描式電子顯微鏡觀察樣品的表面型態，接著利用原子力顯微鏡和拉曼散射光譜確認樣品及厚度，再用X光電子能譜儀確認成分比例. 由於…
9
本論文使用商用氮化鎵發光二極體晶圓，晶圓編號為ELV(紫光)與FEB(藍光)，在這兩片晶圓上製作出p-i-n光偵測器與發光二極體(LED)。兩種元件設計的差異主要是p型歐姆接觸金屬ITO面積的範圍，…
10
二維材料如今受到非常多的矚目, 特別是物理結構特性以及電性傳輸特性. 本研究將同樣為二維材料的石墨烯與不同比例成分之三元化合物W(SxSe(1-x))2製作成異質結構, 具有成分變化的W(SxSe(…